Verfahren zur Planarisierung einer Halbleiterstruktur

摘要

Ein Verfahren zur Planarisierung einer Halbleiterstruktur umfasst das Bewegen eines Konditionierelements auf einer Oberfläche eines Polierelements, das Drehen der Halbleiterstruktur relativ zu dem Polierelement in Berührung mit der Oberfläche des Polierelements, und das Spülen der Oberfläche des Polierelements und der Halbleiterstruktur. Während das Konditionierelement über die Oberfläche des Polierelements bewegt wird und die Halbleiterstruktur in Berührung mit der Oberfläche des Polierelements gedreht wird, wird Schlamm auf das Polierelement geleitet. Der Schritt des Spülens umfasst das Inkontakthalten des Konditionierelements mit der Oberfläche des Polierelements.