发明名称 MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.
摘要 Módulo semiconductor de potencia, dotado de un cuerpo envolvente (12) en el que están dispuestos elementos de conexión de carga (16) que tienen dispositivos de contacto (17) dispuestos en cavidades (26) del cuerpo envolvente (12), cuyas cavidades están constituidas en una pared lateral asociada (28) del cuerpo envolvente (12), poseyendo además un tapa (14) que cierra el cuerpo envolvente (12), caracterizado porque el cuerpo envolvente (12) está realizado de forma integral por su parte superior con un marco de estanqueidad periférico (22) y la tapa (14) está dotada de un borde externo (24) que se acopla sobre el marco de estanqueidad periférico (22) y, caracterizado porque la correspondiente cavidad (26) del cuerpo envolvente tiene en su borde interno (30) un nervio de estanqueidad (34) que forma una sección del marco de estanqueidad (22) y porque el elemento de conexión de carga asociado (16) está dotado de un acodamiento (36) que está curvado alrededor del nervio de estanqueidad (34), a cuyo acodamiento está conectado el dispositivo de contacto correspondiente (17).
申请公布号 ES2326143(T3) 申请公布日期 2009.10.01
申请号 ES20080000987T 申请日期 2008.01.19
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG 发明人 POPP, RAINER;LEDERER, MARCO
分类号 H01L25/07 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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