发明名称 |
Schleifverfahren zum Schleifen der Rückfläche eines Halbleiterwafers sowie dafür verwendete Schleifvorrichtung zum Schleifen der Rückfläche eines Halbleiters |
摘要 |
Schleifverfahren zum Schleifen einer Rückfläche eines Halbleiterwafers, bei welchem ein Vorschub-Schleifvorgang einer Rückfläche eines Waferschichtkörpers durchgeführt wird, welches Verfahren während des Schleifvorgangs der Rückfläche des Waferschichtkörpers enthält: Messen einer Dicke eines äußeren Umfangsabschnitts beziehungsweise eines inneren Umfangsabschnitts des Waferschichtkörpers; Berechnen eines Dickenunterschieds zwischen der Dicke des äußeren Abschnitts und der Dicke des inneren Absch um einem vorbestimmten Winkel in einer beliebigen Richtung, um so den berechneten Dickenunterschied zu reduzieren.
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申请公布号 |
DE102009011491(A1) |
申请公布日期 |
2009.10.01 |
申请号 |
DE20091011491 |
申请日期 |
2009.03.06 |
申请人 |
TOKYO SEIMITSU CO. LTD. |
发明人 |
ARISA, SHIGEHARU;OZAWA, TOSHIYUKI |
分类号 |
H01L21/304;B24B7/04;B24B7/16;B24B49/04 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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