发明名称 MOS-GATED TRANSISTOR WITH REDUCED MILLER CAPACITANCE AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100919528(B1) 申请公布日期 2009.10.01
申请号 KR20077010389 申请日期 2007.05.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利