布线构造

摘要

本发明之目的在于，当在低介电系数膜内形成孤立通孔时，抑制抗蚀剂毒化(resist poisoning)之发生。本发明之解决手段是在形成于基板1上之p-SiOC膜12内，形成第1布线15和第1虚拟布线45a。其次，形成p-SiOC膜22，在p-SiOC膜22上形成帽盖膜23。在帽盖膜23和p-SiOC膜22内，形成由与第1布线15连接之通孔28和第2布线29所构成之双镶嵌布线，同时在孤立之通孔28之周边形成虚拟通孔28a。

主权项

一种布线构造，其特征为具备有：第1低介电系数膜，其形成于基板上，具有3以下之介电常数；第1布线，其形成于上述第1低介电系数膜内；绝缘膜，其形成于上述第1布线上；第2低介电系数膜，其形成于上述绝缘膜上，具有3以下之介电常数；第1介层洞(via hole)，其形成于上述绝缘膜及上述第2低介电系数膜内；第1布线沟，其形成于上述第1介层洞上；第1阻障金属，其形成于上述第1介层洞及第1布线沟内；第1金属，其形成于上述第1阻障金属上；第2介层洞，其形成于上述绝缘膜及上述第2低介电系数膜内；第2阻障金属，其形成于上述第2介层洞内；以及第2金属，其形成于上述第2阻障金属上；于上述第1介层洞内形成有第1通孔，其系由上述第1阻障金属及第1金属所构成；于上述第1布线沟内形成有第2布线，其系由上述第1阻障金属及第1金属所构成；于上述第2介层洞内形成有第2通孔，其系由上述第2阻障金属及第2金属所构成；上述第1布线及第2布线系与上述第1通孔连接；上述第1通孔之周边形成有上述第2通孔；上述第2通孔之底部系构成为与上述第1低介电系数膜相接；上述第1金属与上述第2金属系以铜构成，上述第1阻障金属及上述第2阻障金属系以同样之金属构成。