具有平台式隔离之应变通道场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明提出一种具有平台式隔离之应变通道场效电晶体，其包括一绝缘层和复数岛状之应变矽主动层。其中，岛状之应变矽主动层系设于绝缘层上，且岛状之应变矽主动层系彼此分隔。本发明同时提出其制造方法。

主权项

一种具有平台式隔离之应变通道场效电晶体的制造方法，包括：提供一应变矽覆绝缘层型基底，其具有一应变矽层、一第一绝缘层和一基底之叠层结构；将该应变矽层定义出一主动区，并露出该主动区周围之该第一绝缘层的表面，以形成一突出于该第一绝缘层之岛状之应变矽主动层；形成一应变通道场效电晶体于该岛状之应变矽主动层上；以及形成一第二绝缘层，覆盖该应变通道场效电晶体、部分该岛状应变矽主动层和部分该第一绝缘层，使该应变通道场效电晶体予以隔绝。