发明名称 Herstellungsverfahren eines SOI-Substrats durch Assoziation von Zonen auf Siliziumbasis und Zonen auf GaAs-Basis
摘要
申请公布号 DE602007002040(D1) 申请公布日期 2009.10.01
申请号 DE200760002040T 申请日期 2007.12.17
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 CLAVELIER, LAURENT;DEGUET, CHRYSTAL
分类号 H01L21/20;H01L21/762;H01L21/8258 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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