发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供一种半导体器件。本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积,本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层,其中,第一扩散层具有第二导电型,并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端;第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置,并且被连接至电源或地;扩散电阻层具有第二导电型,并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近;该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端,同时与第一扩散层并行地设置,并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。
申请公布号 CN101546752A 申请公布日期 2009.09.30
申请号 CN200910127940.6 申请日期 2009.03.27
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 永井隆行
分类号 H01L23/60(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I 主分类号 H01L23/60(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 孙志湧;穆德骏
主权项 1. 一种半导体器件,包括:第一导电型阱;在所述阱中形成的多个第一扩散层,具有第二导电型,并且连接至信号输入/输出端;在所述阱中形成的多个第二扩散层,与所述多个第一扩散层交替地设置,并且连接至电源或地;以及在所述阱中形成的扩散电阻层,具有第二导电型,位于与所述多个第二扩散层中的任何一个邻近,连接至所述输入/输出端,并且连接内部电路和所述输入/输出端。
地址 日本神奈川