发明名称 | 形成硅光电池的多层电极结构的方法 | ||
摘要 | 公开了形成光电池电极结构的方法,其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底,所述方法包括:提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口;将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属;将含金属材料沉积在所沉积的接触金属上方;以及烧制所沉积的接触金属和所沉积的含金属材料。含金属材料可以包括一种含有银或银合金连同玻璃料的糊料,其基本无铅至完全无铅。所述方法也可以采用光激活钝化层,或使用种子层来辅助镀料。 | ||
申请公布号 | CN101546792A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
申请号 | CN200910130002.1 | 申请日期 | 2009.03.23 |
申请人 | 帕洛阿尔托研究中心公司 | 发明人 | B·徐;K·A·里涛;D·K·福克 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢 静;杨 勇 |
主权项 | 1. 一种形成光电池电极结构的方法,其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底,该方法包括:提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口;将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属;在所沉积的接触金属上方沉积至少一个含金属层以形成金属栅格线;和烧制所沉积的接触金属和所沉积的至少一个含金属层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |