发明名称 形成硅光电池的多层电极结构的方法
摘要 公开了形成光电池电极结构的方法,其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底,所述方法包括:提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口;将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属;将含金属材料沉积在所沉积的接触金属上方;以及烧制所沉积的接触金属和所沉积的含金属材料。含金属材料可以包括一种含有银或银合金连同玻璃料的糊料,其基本无铅至完全无铅。所述方法也可以采用光激活钝化层,或使用种子层来辅助镀料。
申请公布号 CN101546792A 申请公布日期 2009.09.30
申请号 CN200910130002.1 申请日期 2009.03.23
申请人 帕洛阿尔托研究中心公司 发明人 B·徐;K·A·里涛;D·K·福克
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人 谢 静;杨 勇
主权项 1. 一种形成光电池电极结构的方法,其中光电池包括其上具有钝化层的半导体衬底,该方法包括:提供多个穿过钝化层抵达半导体衬底的接触开口;将接触金属选择性地镀入该多个接触开口以沉积接触金属;在所沉积的接触金属上方沉积至少一个含金属层以形成金属栅格线;和烧制所沉积的接触金属和所沉积的至少一个含金属层。
地址 美国加利福尼亚州