| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法，该半导体装置制造方法包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层，所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中，能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果，能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此，能够提高产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101546793A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910132306.1 | 申请日期 | 2009.03.25 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置制造方法，其包括如下步骤：在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层；在所述树脂层中形成使所述光电二极管的光接收区域的表面露出的开口；在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽；并且随后，通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具，来模压密封所述光电二极管。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||