发明名称 MOS集成电路、以及具备其的电子设备
摘要 本发明提供一种MOS集成电路以及具备其的电子设备,能降低比较器高速工作时的消耗功率。电压电流转换电路(103)将第1以及第2电压(Vinp、Vinn)转换成具有与第1电压(Vinp)对应的电流值的第1电流(I(Vinp))、以及具有与第2电压(Vinn)对应的电流值的第2电流(I(Vinn))。电流比较电路(104)比较第1以及第2电流(I(Vinp)、I(Vinn))的电流值的大小,输出表示比较结果的电压。构成电流比较电路(104)的MOS晶体管的氧化膜比构成电压电流转换电路(103)的MOS晶体管的氧化膜薄。
申请公布号 CN101546996A 申请公布日期 2009.09.30
申请号 CN200910126853.9 申请日期 2009.03.20
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 青池昌洋
分类号 H03K5/24(2006.01)I 主分类号 H03K5/24(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1、一种MOS集成电路,比较第1以及第2电压的大小,其特征在于,具备:电压电流转换电路,将所述第1以及第2电压转换成具有与所述第1电压对应的电流值的第1电流、以及具有与所述第2电压对应的电流值的第2电流;和电流比较电路,比较所述第1以及第2电流的电流值的大小,输出表示比较结果的电压,从包含该MOS集成电路的LSI的外部输入所述第1以及第2电压,构成所述电流比较电路的MOS晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的MOS晶体管的氧化膜薄。
地址 日本大阪府