发明名称 | MOS集成电路、以及具备其的电子设备 | ||
摘要 | 本发明提供一种MOS集成电路以及具备其的电子设备,能降低比较器高速工作时的消耗功率。电压电流转换电路(103)将第1以及第2电压(Vinp、Vinn)转换成具有与第1电压(Vinp)对应的电流值的第1电流(I(Vinp))、以及具有与第2电压(Vinn)对应的电流值的第2电流(I(Vinn))。电流比较电路(104)比较第1以及第2电流(I(Vinp)、I(Vinn))的电流值的大小,输出表示比较结果的电压。构成电流比较电路(104)的MOS晶体管的氧化膜比构成电压电流转换电路(103)的MOS晶体管的氧化膜薄。 | ||
申请公布号 | CN101546996A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
申请号 | CN200910126853.9 | 申请日期 | 2009.03.20 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 青池昌洋 |
分类号 | H03K5/24(2006.01)I | 主分类号 | H03K5/24(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
主权项 | 1、一种MOS集成电路,比较第1以及第2电压的大小,其特征在于,具备:电压电流转换电路,将所述第1以及第2电压转换成具有与所述第1电压对应的电流值的第1电流、以及具有与所述第2电压对应的电流值的第2电流;和电流比较电路,比较所述第1以及第2电流的电流值的大小,输出表示比较结果的电压,从包含该MOS集成电路的LSI的外部输入所述第1以及第2电压,构成所述电流比较电路的MOS晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的MOS晶体管的氧化膜薄。 | ||
地址 | 日本大阪府 |