| 发明名称 | 一种大马士革工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，包括如下步骤：(1)连续对多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对基底或一介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。可见其将多次曝光处理后所得到的曝光区域进行一次显影与刻蚀，得到所需的沟槽或通孔。与传统工艺相比将每次曝光处理后的显影处理集中到一次显影中完成，减少了显影与刻蚀的次数，提高了效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101546727A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810035095.5 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王金丽 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1. 一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，其特征是，包括如下步骤：(1)连续对基底或一介质层上的多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对上述基底或介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||