| 发明名称 | 磁阻效应元件和磁性随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁阻效应元件和磁性随机存取存储器。所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN101546808A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910127906.9 | 申请日期 | 2009.03.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中山昌彦;甲斐正;池川纯夫;与田博明;岸达也 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 高 青 |
| 主权项 | 1. 一种磁阻效应元件，包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁性层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，向第二铁磁层施加频率与所述进动运动相对应的微波磁场。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||