CMOS图像传感器中的光电二极管的制造方法

摘要

提供一种CMOS图像传感器，其中在蓝光电二极管区中形成P-型杂质包含层并通过扩散形成P-型扩散区，使得结深度减小且蓝光被有效地接收以改善图像质量。一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：在光电二极管区中的第一传导类型半导体基片上形成第二传导类型扩散区；在光电二极管区中的第二传导类型扩散区上形成第一传导类型杂质包含区；以及通过将第一传导类型杂质包含区中的杂质扩散到第二传导类型扩散区中而形成第一传导类型扩散区。

主权项

1.一种制造CMOS图像传感器中的光电二极管的方法，包括：在高浓度P型半导体基片上形成低浓度P型外延层，限定了光电二极管区和浮动扩散区；在所述低浓度P型外延层上形成转移晶体管的栅电极和重置晶体管的栅电极；在所述光电二极管区中的低浓度P型外延层中形成低浓度N型扩散区；在所述转移晶体管的栅电极和所述重置晶体管的栅电极之间的所述浮动扩散区中的低浓度P型外延层中形成高浓度N型扩散区；在所述光电二极管区中的所述低浓度P型外延层上形成硼硅酸盐玻璃层；选择性地蚀刻所述硼硅酸盐玻璃层，使得所述硼硅酸盐玻璃层保留在所述低浓度N型扩散区上和所述转移晶体管的栅电极的一部分上；以及通过热扩散保留在所述低浓度N型扩散区上和所述转移晶体管的栅电极的一部分上的所述硼硅酸盐玻璃层的杂质来形成P型扩散区。