| 发明名称 | 半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法。制造半导体装置的垂直沟道晶体管的方法包括：在基板上形成多个有源柱，每个有源柱具有形成在其下部上并围绕该下部的栅电极；在有源柱之上形成第一绝缘层，以填充有源柱之间的间隙区；部分地去除第一绝缘层，以在所有方向上暴露栅电极的周围表面，而不暴露有源柱之间的间隙区中的基板；在剩余的第一绝缘层上形成传导层，以填充有源柱之间的间隙区；以及图案化传导层，以形成在所有方向上围绕并接触栅电极的周围表面的字线。 | ||
| 申请公布号 | CN101546731A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910129463.7 | 申请日期 | 2009.03.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 曹允硕 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体装置的垂直沟道晶体管的方法，该方法包括：在基板上形成多个有源柱，每个所述有源柱具有形成在其下部上并围绕该下部的栅电极；在所述有源柱之上形成第一绝缘层，以填充所述有源柱之间的间隙区；部分地去除所述第一绝缘层，以在所有方向上暴露所述栅电极的周围表面，而不暴露所述有源柱之间的间隙区中的所述基板；在剩余的第一绝缘层上形成传导层，以填充所述有源柱之间的间隙区；以及图案化所述传导层，以形成在所有方向上围绕并接触所述栅电极的周围表面的字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||