发明名称 |
电极制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种电极制造方法,可以提高具备开孔集电体的电极的生产率。在集电体材料(30)的一侧面的整个表面上形成阻蚀层(31),在集电体材料的另一侧面上形成规定图案的阻蚀层(32)。通过蚀刻处理在该集电体材料上形成通孔(20a、23a)。将电极浆料涂敷在形成有通孔(20a、23a)的集电体材料上,而并不除去阻蚀层(31、32)。即,因为通孔(20a、23a)由阻蚀层(31)闭塞,所以电极浆料不会通过通孔(20a、23a)漏出。由此可以沿水平方向输送集电体材料,可以提高电极的生产率。另外,阻蚀层(31、32)由PVdF构成,在使PVdF熔化的加热干燥工序中除去阻蚀层(31、32)。 |
申请公布号 |
CN101546827A |
申请公布日期 |
2009.09.30 |
申请号 |
CN200910119777.9 |
申请日期 |
2009.03.26 |
申请人 |
富士重工业株式会社 |
发明人 |
安东信雄;永井满 |
分类号 |
H01M4/04(2006.01)I;H01M4/64(2006.01)I;H01G9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01M4/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
1. 一种电极制造方法,其用于制造具备开孔集电体的电极,其特征在于,具有:保护层形成工序,在集电体材料的一侧面上形成覆盖至整个表面的保护层,并且在所述集电体材料的另一侧面上形成规定图案的保护层;蚀刻工序,在所述集电体材料的形成有所述规定图案的保护层的那一侧表面上进行蚀刻处理,在所述集电体材料上形成通孔;复合层形成工序,在具有所述保护层和所述通孔的所述集电体材料上涂敷电极浆料,形成电极复合层;以及保护层除去工序,从具有所述电极复合层的所述集电体材料上除去所述保护层。 |
地址 |
日本东京 |