| 发明名称 | 用于铜/低k后段制程清洗的清除剂 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于除去电子器件基底的光致抗蚀剂以及蚀刻和灰化残渣的化学清除剂配方，其包括去离子水，乙酸，聚乙二醇，二丙二醇单甲基醚和氟化铵。本发明还涉及一种除去电子器件基底的光致抗蚀剂以及蚀刻和灰化残渣的方法，通过使基底与一种配方接触，其包括：去离子水，乙酸，聚乙二醇，二丙二醇单甲基醚和氟化铵。 | ||
| 申请公布号 | CN101544931A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910138733.0 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 李翊嘉;刘文达;廖明吉;M·I·埃贝;M·B·劳;M·W·莱根扎;许志民 |
| 分类号 | C11D7/28(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D7/50(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 赵苏林;韦欣华 |
| 主权项 | 1、一种用于除去电子器件基底的光致抗蚀剂以及蚀刻和灰化残渣的化学清除剂配方，其包括：去离子水，羧酸，二醇，二醇醚和氟化物。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||