| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够容易且自如地控制等离子体密度分布，提高等离子体工艺的均一性和成品率。该等离子体处理装置将基座(12)在半径方向上二分割为基座中心电极(12A)和基座周边电极(12B)，为了高频放电或等离子体生成而将从高频电源16输出的高频经由下部供电导体(18)优先供给基座周边电极(12B)上，并同时经由可变电容耦合部(28)以可变的分配比将该高频也供给基座中心电极(12A)上。 | ||
| 申请公布号 | CN101546697A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910129115.X | 申请日期 | 2009.03.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 舆水地盐;桧森慎司 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部中心电极；与所述下部中心电极电气绝缘，以环状包围所述下部中心电极的外周的下部周边电极；与所述下部中心电极以及所述下部周边电极相对而配置在其上方的上部电极；对所述下部中心电极以及所述下部周边电极与所述上部电极之间的处理空间供给处理气体的处理气体供给部；输出用于通过高频放电生成所述处理气体的等离子体的第一高频的第一高频电源；与所述下部周边电极的背面连接以将来自所述第一高频电源的所述第一高频优先供给所述下部周边电极上的第一下部供电导体；和第一可变电容耦合部，其为了将来自所述第一高频电源的所述第一高频的一部分供给所述下部中心电极，通过阻抗可变的电容耦合将所述第一下部供电导体以及所述下部周边电极的至少一方与所述下部中心电极电气连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||