单个晶体管DRAM单元结构及其形成方法

摘要

单个晶体管DRAM单元(10)形成在SOI衬底(12、14)中，以便DRAM单元形成在相互电隔离的体区中。每个单元(10)具有用作源和漏接触的掺杂区(36，42)。在漏接触(42)和体区(16)之间是有助于碰撞电离并由此在编程期间形成电子/空穴、并且是与体区(16)相同的导电类型而比体区(16)高浓度的区域(40)。邻近源接触(36)和邻近体区(16)的是在擦除期间有助于二极管电流并与源接触(36)相同导电类型而比源接触(36)低浓度的区域(38)。

主权项

1.一种用于形成单个晶体管动态随机存取存储器单元的方法，包括如下步骤：提供具有形成在衬底上的绝缘体和形成在绝缘体上的半导体层的绝缘体上硅半导体器件，半导体层具有一表面；在半导体层的表面上的体区上方形成栅极；在邻近栅极且在栅极的相反侧上的半导体层中，利用栅极作为掩模，形成第一导电类型的第一和第二漏/源区；在第一漏/源区之上放置掩模，而留下第二漏/源区不加掩模；与垂直方向成一角度，对第二漏/源区以及对栅极之下邻近第二漏/源区的区域中的半导体层执行第一注入，该注入使用使得区域成为第二导电类型的掺杂剂；以使得区域成为第一导电类型的掺杂剂对第二漏/源区执行第二注入；以及在执行第一和第二注入的步骤之后去除掩模。