| 发明名称 | 非易失性电荷俘获存储器件的单晶硅制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造非易失性电荷俘获存储器件的方法。该方法包括首先在单晶片群组设备的第一工艺腔体形成衬底上的隧道介质层，然后在单晶片群组设备的第二工艺腔体形成隧道介质层上的电荷俘获层。然后，在单晶片群组设备的第二或第三工艺腔体形成电荷俘获层上的顶端介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN101548385A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200780037848.X | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 赛普拉斯半导体公司 | 发明人 | 克里希纳斯瓦米·库马尔;赛格·利维 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1. 一种制造非易失性电荷俘获器件的方法，其特征在于，包含：在单晶片群组设备的第一工艺腔体形成衬底上的遂穿介质层；在单晶片群组设备的第二工艺腔体形成遂穿介质层上的电荷俘获层；以及在单晶片群组设备的第三工艺腔体形成电荷俘获层上的顶端介质层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||