一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料

摘要

本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。

主权项

1、一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，其特征在于，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；以及一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调；其中，该薄金属铪可协变层是利用离子束外延或磁控溅射方法制备的具有六方α-Hf(002)单一择优取向、表面平整度的方均根粗糙度小于或等于1.0nm、厚度为10至80nm的单晶或多晶薄膜。