有机光敏器件的较大异质结界面面积的受控生长

摘要

一种光电器件和制造光敏光电器件的方法，包括：将第一有机半导体材料淀积在第一电极上，以形成具有突起的连续的第一层，与第一电极相对立的第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积；将第二有机半导体材料直接淀积在第一层上以形成不连续的第二层，部分第一层保持暴露；将第三有机半导体材料直接淀积在第二层上以形成不连续的第三层，至少部分第二层保持暴露；将第四有机半导体材料淀积在第三层上以形成连续的第四层，填充第一、第二和第三层中任何暴露的间隙和凹处；以及在第四层上淀积第二电极，其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明的，并且第一和第三有机半导体材料相对于是施主类型或受主类型的第二和第四有机半导体材料是另一材料类型。

主权项

1. 一种制造光敏光电器件的方法，包括：在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成具有突起的连续的第一层，与所述第一电极相对立的、所述第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积；在所述第一层上直接淀积第二有机半导体材料以形成不连续的第二层，所述第一层的多个部分保持暴露；在所述第二层上直接淀积第三有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的多个部分保持暴露；在所述第三层上淀积第四有机半导体材料以形成连续的第四层，填充所述第一层、第二层和第三层中任何暴露的间隙和凹处；以及在所述第四层上淀积第二电极，其中，所述第一电极和第二电极中的至少一个电极是透明的，以及所述第一和第三有机半导体材料相对于均是施主类型或是受主类型的所述第二和第四有机半导体材料而言均是另一种材料类型。