一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法

摘要

一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10^-4Pa。将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10^-1Pa-8×10^-1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10^-3-8×10^-3Pa，，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。

主权项

1、一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：(1)、将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa；将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa；以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射，所述的预溅射为非正式溅射，采取遮挡的方式，用遮挡物将衬底遮挡住，使预溅射的产物不能沉积到衬底上；(3)、预溅射20分钟后，在预溅射结束后、开始正式溅射沉积前，撤掉遮挡物，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-8×10-3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。