| 发明名称 | 集成电路芯片的钝化层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路芯片的钝化层及其制造方法，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，第一二氧化硅层和氮化硅层均对所述钝化层之下的金属层施加压缩应力，其特征在于，所述钝化层还包括对所述钝化层之下的金属层施加拉伸应力的第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于第一二氧化硅层和氮化硅层之间。本发明的钝化层可以有效避免钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层之间的剥离脱落，进而提高集成电路芯片的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN100546031C | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200710040534.7 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 曾建平;董梅;马琳 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1、一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，第一二氧化硅层和氮化硅层均对所述钝化层之下的金属层施加压缩应力，其特征在于，所述钝化层还包括对所述钝化层之下的金属层施加拉伸应力的第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于氮化硅层和第一二氧化硅层之间。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||