发明名称 |
透明导电膜及透明导电膜的制造方法 |
摘要 |
本发明提供具备可实用的耐湿性和作为透明导电膜所必需的特性且低成本的ZnO类透明导电膜及其制造方法。以ZnO为主成分的透明导电膜(ZnO膜)中,ZnO膜具备具有粒状结晶结构的区域。ZnO膜中掺杂有III族元素。III族元素的掺杂量以氧化物质量换算为0.8~11.5重量%。III族元素为选自Ga、Al及In的至少1种。ZnO(002)摇摆曲线的半宽度为10.5°以下。在基体上形成ZnO膜的过程中使基体静止。在向靶供给DC脉冲电力的同时形成氧化锌膜。 |
申请公布号 |
CN101548343A |
申请公布日期 |
2009.09.30 |
申请号 |
CN200880000889.6 |
申请日期 |
2008.08.18 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
深堀奏子;岸本谕卓 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
冯 雅 |
主权项 |
1. 透明导电膜,它是使氧化锌(Zn0)膜在基体上生长而得的透明导电膜,其特征在于,所述氧化锌膜具备具有粒状结晶结构的区域。 |
地址 |
日本京都府 |