| 发明名称 | 一种可提高质量的介质隔离结构制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可提高质量的介质隔离结构制作方法，该介质隔离结构制作在硅衬底上且其具有依次层叠的第一层和第二层介质。现有技术中完成第一CVD工艺后直接进行第二CVD工艺，从而致使第一CVD工艺制成的第一层介质吸水而使其质量降低。本发明首先通过第一CVD工艺沉积该第一层介质，再进行热处理除气，接着通过第二CVD工艺沉积该第二层介质，最后进行化学机械抛光工艺；其中，该第一CVD工艺的缝隙填充能力大于第二CVD工艺的缝隙填充能力。采用本发明可避免第一层介质吸附水分而影响介质隔离结构和半导体器件的质量，从而有效提高介质隔离结构和半导体器件的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101546707A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810035097.4 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐强;郑春生 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1. 一种可提高质量的介质隔离结构制作方法，该介质隔离结构制作在一具有多个凸部或凹槽的硅衬底上且其具有依次层叠的第一层和第二层介质，该方法包括以下步骤：a、通过第一化学气相沉积工艺沉积该第一层介质；b、通过第二化学气相沉积工艺沉积该第二层介质；c、进行化学机械抛光工艺；其中，该第一化学气相沉积工艺的缝隙填充能力大于第二化学气相沉积工艺的缝隙填充能力，其特征在于，该方法在步骤a和步骤b间还进行一热处理除气步骤。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||