发明名称 | 测距传感器及三维彩色图像传感器 | ||
摘要 | 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括:光电转换区;第一电荷存储区和第二电荷存储区;第一沟槽和第二沟槽;和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。 | ||
申请公布号 | CN101545771A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
申请号 | CN200910129834.1 | 申请日期 | 2009.03.26 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 陈暎究;朴允童;金元住;李承勋;赵寅成 |
分类号 | G01C3/08(2006.01)I | 主分类号 | G01C3/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
主权项 | 1. 一种测距传感器,包括:光电转换区;第一电荷存储区;第二电荷存储区;第一沟槽;第二沟槽;第一垂直光栅极;以及第二垂直光栅极,其中所述光电转换区在衬底中,其中所述光电转换区用第一杂质掺杂以响应接收的光而产生电荷,其中所述第一电荷存储区和所述第二电荷存储区在所述衬底中,其中所述第一电荷存储区和所述第二电荷存储区用第二杂质掺杂以收集电荷,其中所述第一电荷存储区和所述第二电荷存储区彼此分隔开,其中所述第一沟槽形成为在所述衬底中具有与所述第一电荷存储区对应的深度,其中所述第二沟槽形成为在所述衬底中具有与所述第二电荷存储区对应的深度,其中所述第一垂直光栅极在所述第一沟槽中,以及其中所述第二垂直光栅极在所述第二沟槽中。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |