发明名称 |
半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体晶片具有划线区域和由划线区域划分的多个元件形成区域,所述半导体晶片包括:导电图形,其形成在划线区域中;岛形钝化膜,其至少形成在导电图形之中的暴露于或者可能暴露于通过沿着划线区域对半导体晶片进行划片获得的半导体芯片的侧面的导电图形的上方,从而岛形钝化膜与导电图形相对。 |
申请公布号 |
CN101546736A |
申请公布日期 |
2009.09.30 |
申请号 |
CN200910130253.X |
申请日期 |
2009.03.30 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
田中浩治;矶崎诚也 |
分类号 |
H01L23/28(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/28(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
1. 一种半导体晶片,所述半导体晶片具有划线区域和由所述划线区域划分的多个元件形成区域,所述半导体晶片包括:形成在所述划线区域中的各个导电图形;以及,岛形钝化膜,在所述各个导电图形之中的至少一个暴露于或者可能暴露于通过沿着所述划线区域对所述半导体晶片进行划片所获得的半导体芯片的划片-切割表面的导电图形的上方形成所述岛形钝化膜,以使得所述岛形钝化膜与该导电图形相对。 |
地址 |
日本神奈川 |