氮化物半导体发光元件和其形成方法

摘要

设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系In_XGa_1-XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系In_XGa_1-XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

主权项

1. 一种氮化物半导体发光器件，包括：第一导电类型氮化镓基半导体区域；第二导电类型氮化镓基半导体区域；以及有源层，其设置在所述第一导电类型氮化镓基半导体区域和所述第二导电类型氮化镓基半导体区域之间以便发射波长在440到550nm范围内的光，其中，所述有源层包括由六方晶系InXGa1-XN构成的阱层，其中，0.16≤X≤0.35，铟组分X为应变组分，所述阱层的厚度D大于2.5nm，所述阱层的厚度D为10nm以下，所述铟组分X和所述厚度D满足X≥-0.1×D+0.6，所述第一导电类型氮化镓基半导体区域、所述有源层以及所述第二导电类型氮化镓基半导体区域沿一预定轴方向设置，以及所述六方晶系InXGa1-XN的a面沿所述预定轴方向对准。