| 发明名称 | 低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及低维纳米材料显微结构与电学性能的测试装置和方法。该装置在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。本发明提供了一种转移、固定低维纳米材料的方法，可以同时对低维纳米材料进行通电测量，可以在原子点阵分辨率下，原位地测量低维纳米材料的显微结构与电学性能的相关性。 | ||
| 申请公布号 | CN101545872A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200910084260.0 | 申请日期 | 2009.05.15 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 韩晓东;刘攀;张泽 |
| 分类号 | G01N23/04(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N23/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 萍 |
| 主权项 | 1、一种低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置，其特征在于：在衬底的上方是非晶层，下方是阻挡层，阻挡层和衬底的中间部分被刻蚀掉形成窗口，在非晶层上是金属电极，金属电极之间是低维纳米材料，低维纳米材料位于非晶层上对着窗口的正上方，低维纳米材料上是非晶阻挡层，金属电极上引出导线。 | ||
| 地址 | 100124北京市朝阳区平乐园100号 | ||