| 发明名称 | 耐高压的驱动电路 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种耐高压反相器电路，包括PMOS晶体管，其源极和漏极分别与第一高压电源VDDQ和输出端相连，其栅极由第一信号控制，该第一信号具有在所述VDDQ和低压电源(VSS)之间的电压摆幅；和NMOS晶体管，其源极和漏极分别与VSS和所述输出端相连，其栅极由第二信号控制，该第二信号具有在第二高压电源(VDD)和所述VSS之间的电压摆幅；其中，所述VDD低于所述VDDQ，所述第一信号在所述VDDQ和所述VSS之间的电压摆动与所述第二信号在所述VDD和所述VSS之间的电压摆动始终在相同的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101547003A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810210581.6 | 申请日期 | 2008.09.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄建程;林松杰 |
| 分类号 | H03K19/20(2006.01)I;H03K19/0948(2006.01)I;H03K19/003(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 梁 永;马佑平 |
| 主权项 | 1、一种耐高压反相器电路，包括：PMOS晶体管，其源极和漏极分别与第一高压电源(VDDQ)和输出端相连，其栅极由第一信号控制，该第一信号具有在所述VDDQ和低压电源(VSS)之间的电压摆幅；和NMOS晶体管，其源极和漏极分别与所述VSS和所述输出端相连，其栅极由第二信号控制，该第二信号具有在第二高压电源(VDD)和所述VSS之间的电压摆幅，其中，所述VDD低于所述VDDQ，所述第一信号在所述VDDQ和所述VSS之间的电压摆动与所述第二信号在所述VDD和所述VSS之间的电压摆动始终在相同的方向。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||