| 发明名称 | TFT-LCD阵列基板和彩膜基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板和彩膜基板的制造方法。阵列基板的制造方法包括：在基板上形成具有栅电极、源电极、漏电极和钝化层的阵列结构层；在所述阵列结构层上依次沉积像素电极层和有机层，并涂布一层光刻胶；采用灰色调或半色调掩模板，通过曝光、显影、刻蚀和灰化工艺，在所述阵列结构层上形成像素电极图形和位于所述像素电极上由所述有机层形成的阵列凸起。本发明通过采用灰色调或半色调掩模板，将现有技术形成像素电极和阵列凸起的二道构图工艺整合为一道构图工艺，在提高生产效率的同时，保证了TFT-LCD阵列基板的产品特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101546733A | 申请公布日期 | 2009.09.30 |
| 申请号 | CN200810102994.2 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 明星;周伟峰;郭建 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 芳 |
| 主权项 | 1. 一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤11、在基板上形成具有栅电极、源电极、漏电极和钝化层的阵列结构层；步骤12、在所述阵列结构层上依次沉积像素电极层和有机层，并涂布一层光刻胶；采用灰色调或半色调掩模板，通过曝光、显影、刻蚀和灰化工艺，在所述阵列结构层上形成像素电极图形和位于所述像素电极上由所述有机层形成的阵列凸起。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||