发明名称 |
用于半导体处理设备的陶瓷件 |
摘要 |
一种陶瓷件,用于处理半导体衬底的真空处理室,该陶瓷件包括:具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料;和在该外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化层,该氧化层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。在半导体衬底处理期间,使陶瓷件经等离子体调控处理可使颗粒污染降至最低。陶瓷件可由各种材料制成,如氧化铝、二氧化硅、石英、碳、硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝或碳化钛。陶瓷件可为真空处理室的各种部件,如处理室侧壁内的衬套、向处理室供给处理气体的气体散布板、喷淋头组件的缓冲板、晶片通道插入件、衬底周围的聚焦环、电极周围的边环、等离子体屏蔽板和/或窗口。 |
申请公布号 |
CN100545304C |
申请公布日期 |
2009.09.30 |
申请号 |
CN200510081877.9 |
申请日期 |
2001.06.25 |
申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
威廉·F·博希 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余 刚;李丙林 |
主权项 |
1.一种陶瓷件,用于处理半导体衬底的真空处理室,该陶瓷件包括:具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料;和在该非氧化物陶瓷材料的外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化硅层,该氧化硅层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |