| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vermessung von Masken (1) für die Photolithographie. Dabei werden zu vermessende Strukturen auf der Maske (1) auf einem verfahrbaren Maskenträger (2) beleuchtet und als Luftbild auf einem Detektor (6) abgebildet, wobei die Beleuchtung entsprechend der Beleuchtung in einem Photolithographiescanner bei einer Waferbelichtung eingestellt wird. Es wird eine Auswahl an Positionen, an denen sich die zu vermessenden Strukturen auf der Maske (1) befinden, vorgegeben, die Positionen auf der Maske (1) in der Auswahl werden nacheinander in den Fokus einer Abbildungsoptik (5) gebracht, wo sie beleuchtet und jeweils als vergrößertes Luftbild auf einen Detektor (6) abgebildet werden, anschließend werden die Luftbilder gespeichert. Die Struktureigenschaften der Strukturen werden dann mittels vorgegebener Auswertealgorithmen analysiert. Dabei wird die Einstellung der Positionen anhand von interferometrischen Messstrecken (10) überprüft und gegebenenfalls korrigiert.
|
