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Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silicium, die Fluor enthält, wobei die Fluor-Konzentration 1 . 1010 bis 1 . 1016 Atome/cm3 beträgt, und die frei ist von agglomerierten intrinsischen Punktdefekten, deren Durchmesser gleich oder größer ist als ein kritischer Durchmesser. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silicium, umfassend das Bereiten einer Schmelze aus Silicium, die mit Fluor dotiert ist und das Kristallisieren der Schmelze zu einem Einkristall, der Fluor im Bereich von 1 . 1010 bis 1 . 1016 Atome/cm3 enthält, mit einer Geschwindigkeit, bei der agglomerierte intrinsische Punktdefekte mit einem kritischen Durchmesser oder einem größeren Durchmesser entstehen würden, wenn auf Fluor als Dotierstoff verzichtet werden würde, und das Abtrennen von Halbleiterscheiben vom Einkristall.
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