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Offenbart wird eine Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladung. Die Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladung kann eine Epitaxieschicht eines zweiten Leitungstyps auf einem Substrat umfassen; eine Wanne des zweiten Leitungstyps auf einem ersten Gebiet über der Epitaxieschicht des zweiten Leitungstyps; eine tiefe Wanne eines ersten Leitungstyps in der Epitaxieschicht des zweiten Leitungstyps zwischen der Epitaxieschicht des zweiten Leitungstyps und der Wanne des zweiten Leitungstyps; eine Vielzahl aktiver Gebiete, die durch eine Vielzahl von Isolationsschichten über der Epitaxieschicht des zweiten Leitungstyps festgelegt werden; und einen Transistor und ein Ionenimplantationsgebiet in den aktiven Gebieten.
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