发明名称 |
Verfahren zur Bildung von Zwischenverbindungen |
摘要 |
Ein Verfahren zur Bildung von Zwischenverbindungen weist auf das Ätzen einer ersten Menge von Öffnungen in einer Hartmaske unter Verwendung einer ersten Fotoresistschicht mit einer ersten Struktur von Öffnungen als erste Ätzmaske und das Ätzen einer zweiten Menge von Öffnungen in einer Hartmaske unter Verwendung einer zweiten Fotoresistschicht mit einer zweiten Struktur von Öffnungen als zweite Ätzmaske. Das Verfahren weist auf das Verkleinern der Öffnungen in der ersten Struktur und/oder der zweiten Struktur vor dem Ätzen der Öffnungen in der Hartmaske.
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申请公布号 |
DE102009004550(A1) |
申请公布日期 |
2009.09.17 |
申请号 |
DE200910004550 |
申请日期 |
2009.01.14 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BARTH, HANS-JOACHIM;POSTNIKOV, SERGEI;SCHULZ, THOMAS;ARNIM, KLAUS VON |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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