发明名称 一种受控等效电阻模块
摘要 本发明提供一种受控等效电阻模块,包括产生受控电阻的MOS管M<sub>R</sub>;产生等效阻值控制电压的MOS管M<sub>S</sub>;锁定MOS管M<sub>R</sub>和MOS管M<sub>S</sub>源端电压的运算放大器A1;调整输入电流信号方向和大小的电流传输模块CV;将输入电压信号转变为电流信号的MOS管M<sub>C</sub>;限制最大阻值的电流源I<sub>C</sub>。该等效电阻模块受输入电压或输入电流的控制的改变等效MOS电阻,解决了现有MOS电阻的等效阻值受工艺误差和体效应等影响,等效阻值控制不精确的技术难题。
申请公布号 CN101534118A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200910097675.1 申请日期 2009.04.16
申请人 浙江大学 发明人 何乐年;王忆;宁志华;邵亚利
分类号 H03K19/094(2006.01)I 主分类号 H03K19/094(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 代理人 胡红娟
主权项 1、一种受控等效电阻模块,其特征在于:包括:一个为模块供电的电源(VDD);一个接地端(GND);一电流方向为流入受控等效电阻模块的第一输入电路;一电流方向为流出受控等效电阻模块的第二输入电路;一接收第一、第二输入电路的输出电流信号并调整其电流方向和大小后输出控制电流的电流传输模块(CV);一用于产生等效阻值控制电压的第一PMOS管(MS),第一PMOS管(MS)的源极连接电流传输模块(CV)的输出端,栅极连接漏极;一用于产生等效阻值的第二PMOS管(MR),其源极和漏极作为等效电阻的两个接入端;一运算放大器(A1),其同向输入端连接第二PMOS管(MR)的源极,反向输入端连接第一PMOS管(MS)的源极,输出端连接第二PMOS管(MR)的栅极和第一PMOS管(MS)的漏极;第一输入电路或第二输入电路接收外部控制信号,经过电流传输模块(CV)生成响应的控制电流。
地址 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
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