| 发明名称 | 溅射阴极、溅射设备、控制设备、成膜方法及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种溅射阴极、溅射设备、控制设备、成膜方法及制造方法。该溅射阴极能够增加调整靶材和磁体单元之间的距离的自由度。根据本发明的一个实施例的溅射阴极包括布置在与靶材的背表面相对的位置处的多个磁体单元，以及用于针对各磁体单元分离地调整靶材和磁体单元之间的距离的距离调整机构。此外，该溅射阴极包括用于使多个磁体单元平行于靶材的背表面往复运动的往复运动机构。可以将多个磁体单元、距离调整机构和往复运动机构容纳在可进行抽真空的磁体室中。 | ||
| 申请公布号 | CN101532124A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200910117876.3 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 板垣克则;内山智雄;开康子;斋藤广明;千叶俊伸 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 1. 一种溅射阴极，其包括布置在与用于支撑靶材的表面相对的位置处的多个磁体单元，各所述磁体单元具有：所述磁体单元的磁体；距离调整机构，用于调整从所述磁体到所述表面的距离；以及往复运动机构，用于使所述磁体平行于所述表面往复运动，其中，所述磁体单元沿不同于所述往复运动的方向的预定方向布置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||