| 发明名称 | 一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 非晶InGaAs薄膜材料属于光电子材料技术领域。非晶InGaAs薄膜材料主要应用于红外探测器材料。以往磁控溅射制备该种材料的不足之处在于其内部缺陷过多，难以达到应用水平。本发明之一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法，通过边成膜边钝化的方法，使得通过磁控溅射方法制备的非晶InGaAs薄膜材料质量有了极大改善，缺陷密度极大降低，能够使得非晶InGaAs薄膜材料得到实际的应用，为研制1.5～3.0μm高性能红外探测器元器件奠定基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101533876A | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200910066814.4 | 申请日期 | 2009.04.14 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 乔忠良;么艳平;薄报学;高欣;陈甫;魏勇平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;李占国;刘国军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法，其方法特征在于成膜过程中掺氢，同时掺氢过 程中进行钝化。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 | ||