平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法

摘要

本发明公开了一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法，该方法采用湿法腐蚀剥离离子注入表面严重损伤层，腐蚀液用1‰的溴/乙醇或1‰的溴/氢溴酸，腐蚀液温度为冰水点。剥层厚度的确定是基于反偏条件下PN结的I-V曲线给出的暗电流大小或R-V曲线的形状和峰值可以反映器件表面漏电和产生-复合中心密度的大小。通过监测腐蚀过程中PN结的I-V曲线或R-V曲线的变化来确定腐蚀剥层的截止点。本发明的优点是：方法简便有效、重复件好。

主权项

1.一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法，其特征在于具体步骤如下：A.在容器内配制1‰的溴/乙醇或1‰的溴/氢溴酸腐蚀溶液；B.对离子注入后的HgCdTe样品进行腐蚀剥层前的反向偏压I-V或R-V扫描测试，并记录I-V或R-V扫描曲线，测试温度根据器件工作温度而定；C.然后将样品浸入腐蚀溶液中，腐蚀液温度为冰水点，腐蚀时间为1秒后即取出，进行I-V或R-V扫描测试，与腐蚀剥层前的I-V比较，此时会观察到I-V曲线的反向暗电流开始变小，从R-V曲线看则是反向电阻的增大；D.反复重复上述C步骤，进行腐蚀、测试，当反向暗电流减小或电阻增大到某一值后便开始向反方向变化，即暗电流明显开始变大，电阻明显开始减小，表明此时离子注入严重损伤层已去除，即停止腐蚀剥层。