| 主权项 |
1. 一种制造FET的方法，包括：在半导体区域(2)上沉积栅极电介质(6)；在虚设结构区域(9)中的栅极电介质上沉积虚设结构(8)，并且形成虚设结构的图案以具有限定的边沿(10)；在栅极电介质和虚设结构上保形地沉积具有第一功函数的第一金属层(16)；从虚设结构(8)的顶部(12)和栅极电介质(6)的顶部有选择地回蚀第一金属层(16)，留下栅极电介质(6)上的虚设结构(8)的侧面(10)上的第一金属层(16)；在栅极电介质和虚设结构上以及在虚设结构的侧面上的第一金属层(16)上保形地沉积具有不同于第一功函数的第二功函数的第二金属层(18)；从虚设结构的顶部(12)和栅极电介质(6)的顶部有选择地回蚀第二金属层(18)，留下栅极电介质(6)上的虚设结构(8)的侧面(10)上的第一金属层(16)上的第二金属层(18)；去除虚设结构(8)，留下栅极电介质(6)上的第一金属层(16)和第二金属层(18)作为具有纵向变化的功函数的栅极金属层；以及邻近第一金属层(16)和第二金属层(18)在纵向上注入源极(22)区域和漏极(24)区域，以形成一种场效应晶体管，其栅极的材料沿着其长度方向在纵向上变化。 |
