气化器

摘要

本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。

主权项

1、一种半导体处理系统，其特征在于，具备：处理室，容纳被处理基板；支承构件，在所述处理室内支承所述处理基板；加热器，加热所述处理室内的所述被处理基板；排气系统，排出所述处理室内的气体；气体供给系统，向所述处理室内供给处理气体，所述气体供给系统包括配置于所述处理室的外侧、用于从液体原料得到所述处理气体的气体生成装置；所述气体生成装置具备：预处理器，由所述液体原料形成气液混合的流体；气化器，通过流体供给通路，由所述预处理器供给得到所述流体；所述气化器具备：容器，规定所述气化器的处理空间；供给头，与所述流体供给通路连接，且具有向所述容器内喷出所述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路具备分别由加热壁构成的并列的多个通路部分，对向下方流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；加热器，对所述处理空间和所述加热壁进行加热，和雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。