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发明名称
使用同轴倾斜的改良式高倾斜植入角度效能
摘要
本发明包括具有以前不能实现的角度精度的用于高倾斜角度植入的方法。具有宽度维度和高度维度的离子束由许多单个的小射束组成。这些小射束通常在这两个维度中之一者内显示了更高的平行度。因此,为了最小化角度误差,工件绕实质上垂直于具有更高平行度的维度的轴倾斜。然后,工件在高倾斜角度被植入且绕正交于工件表面的直线旋转。此方法可被重复直至高倾斜植入已经在所有所需的区域实施。
申请公布号
TW200939314
申请公布日期
2009.09.16
申请号
TW097150758
申请日期
2008.12.25
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
古普塔 阿塔尔;欧尔森 约瑟C
分类号
H01L21/265(2006.01);H01J37/317(2006.01)
主分类号
H01L21/265(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
美国
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