一种用于射频积体电路之表面保护层形成之方法

摘要

本发明揭示一种用于射频积体电路之表面保护层形成之方法，其具有下列步骤：a)提供一半导性基板；b)成长一高缺陷密度薄膜；及c)以一退火制程加热该基板。该高缺陷密度之保护薄膜可用以捕捉因该基板受外加偏压时所造成之电荷并具有改善该半导性基板在微波频段之操作损失，以增进半导性基板之微波频带特性，且适用于各种半导性材料之基板，可广泛应用于高频被动元件之制作。