| 摘要 |
本发明提供一种可于连接部除去存在于连接孔底部之矽化物层表面的自然氧化膜之技术，该连接部系将导电性材料埋入至开口于绝缘膜之连接孔内部者。于层间绝缘膜(第1及第2绝缘膜19a、19b)上打开连接孔20，使矽化镍层18之表面露出于连接孔20之底部之后，向半导体晶圆之主面上供给包含HF气体及NH#sB!3#eB!气体之还原气体，藉由还原反应而形成生成物，除去矽化镍层18表面之自然氧化膜。此时之HF气体与NH#sB!3#eB!气体之流量比(HF气体流量/NH#sB!3#eB!气体流量)设为大于1且5以下。又，最好将半导体晶圆之温度设为30℃以下。其后，藉由对半导体晶圆实施150至400℃之加热处理而除去半导体晶圆之主面上所残留之生成物，继而形成障壁金属膜21。 |
