发明名称 高稳定性位移电路
摘要 本发明公开了一种高稳定性位移电路,各阶段的位移电路具有一补充单元对输出节点补充低准位,其利用将该输出节点处的输出信号拉回至自属位移电路单元内充当控制信号,其控制信号支配该阶位移电路单元,进而对该输出端持续补充低位准。藉此根据本发明的位移电路除了可以达到主动式显示面板所需的驱动信号位移功能之外,当该电路使用非晶硅薄膜晶体管实施时,同时可以抑制电路内非晶硅薄膜晶体管的临界电压位移现象,这样可延长位移电路的使用寿命以及提高位移电路的稳定性。
申请公布号 CN100541670C 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200510063155.0 申请日期 2005.04.05
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 蔡哲福;王文俊;廖文堆
分类号 G11C19/28(2006.01)I 主分类号 G11C19/28(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 彭 焱
主权项 1.一种高稳定性位移电路,所述位移电路包括多个阶段,所述各阶段依序串接在一起且各自产出输出信号;一输入信号(STV)输入至第1阶(SR1)的输入端(IN),其余各阶段的输入信号是前一阶的输出信号,且各阶位移电路设有一第一时脉端(CA)与一第二时脉端(CB),第一时脉信号和第二时脉信号是输入为反相状态的时脉信号,其特征在于:每阶段均包括一位移电路单元(10),及一补充单元(20),所述补充单元接于所述位移电路单元的输出节点(Q);通过所述输出节点(Q)处的输出信号拉回至所述位移电路单元(10)内充当控制信号,所述控制信号支配所述位移电路单元(10)进而对所述输出节点(Q)持续补充低位准,其中,所述补充单元包括:一第一补充晶体管(MA),其栅极与所述位移电路单元的第一衍生节点(QA)连接,漏极连接至所述输出节点(Q),源极连接至低位准的供应电压(Vss);一第二补充晶体管(MB),其栅极连接至所述位移电路单元的第二衍生节点(QB),漏极连接至所述输出节点(Q),源极连接至低位准的供应电压(Vss);一第三补充晶体管(MC),其栅极连接至所述位移电路单元的第二衍生节点(QB),漏极与所述第一衍生节点(QA)连接,源极连接至低位准的供应电压(Vss)。
地址 台湾省台中县