发明名称 二硅化钼基高温复合材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种二硅化钼基高温复合材料及其制备方法。该方法在较低生产成本下可制备出最高室温韧性与高温合金的相当,并具有更高的高温强度、高温抗蠕变性能和一定塑性加工性能的高温复合材料;该高温复合材料的基体是MoSi<sub>2</sub>和Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>构成的复合基体,MoSi<sub>2</sub>的平均晶粒尺寸小于2微米,Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>微粒的平均粒径小于1微米。本发明的方法是:以Mo<sub>2</sub>N粉或者Mo<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>或/和Mo<sub>3</sub>Si粉为初始粉体,经硅化或氮化—硅化处理得到Mo<sub>3</sub>Si-Mo<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>或Mo<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>-MoSi<sub>2</sub>-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合粉体,复合粉体再与Si粉、SiC等材料强化相混合、压制,然后将坯件在1415~1550℃下烧结,最后将烧结后的坯件进行塑性变形,即获得所需的高温复合材料致密件。
申请公布号 CN101531519A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200810081148.7 申请日期 2008.03.12
申请人 李琎;苏健 发明人 李琎;苏健
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人 徐秦中
主权项 1、一种二硅化钼基高温复合材料,主要由MoSi2、Si3N4以及材料强化相组成,其特征是所说的MoSi2和Si3N4构成复合基体,MoSi2的平均晶粒尺寸小于2微米,Si3N4微粒的平均粒径小于1微米,Si3N4占复合基体的体积比大于5%,在MoSi2—Si3N4复合基体中部分MoSi2晶粒与部分Si3N4微粒之间为共格或半共格界面,所说的材料强化相是SiC、ZrC、HfC、Si3N4、AlN、ZrN、ZrB、HfB2、ZrB2、Al2O3、Y2O3、HfO2、ZrO2中的一种或几种,材料强化相占高温复合材料的体积比是0~80%。
地址 加拿大安大略省哈密尔顿市