晶体形成方式及装置

摘要

本发明主要系透过对坩锅底层施以局部高冷却方式，使液相原料之径向延伸方向形成多数之温度差异区，以控制各初成核之形成位置及生长方向，使各初成核向上成长而形成之完整多晶矽晶体具有较高之电钝性晶界以及单位横切面积晶界数量较少之特性；尤其，可进一步采用沿着初成核成长方向纵向切割的方式减少晶界，进而增加晶片之光电转换效率。