| 发明名称 | 一种平面金属氧化物半导体与其制法 | ||
| 摘要 | 一种平面金属氧化物半导体，包含基材，设置于基材上之绝缘层，其表面与基材表面实质上平行，直接位于绝缘层表面上之闸极、源极与汲极，以及介于源极与汲极间并接触闸极之闸极通道。 | ||
| 申请公布号 | TW200939473 | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | TW097107335 | 申请日期 | 2008.03.03 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘恩铨;洪世芳;杨智伟;林育信;黄瑞民 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/8232(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||